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Detalhes do produto

053000371
Memória Kingston 16GB DDR4 2666Mhz SODIMM para Notebook - KVR26S19S8/16
Medidas do produto: 1.0cm (A) x 4.0cm (L) x 15.0cm (C)
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Descrição
16GB 2666MHz DDR4 Non-ECC CL19 SODIMM 1Rx8

16GB Module - DDR4 2666MHz

Código do Produto: KVR26S19S8/16
Especificações: DDR4, 2666MHz, Non-ECC, CL19, X8, 1.2V, Unbuffered, SODIMM, 260-pin, 1R, 16Gbit
Descrição:

O KVR26S19S8/16 da Kingston é um módulo de memória SODIMM DDR4-2666 2G x 64 bits (16GB) CL19 SDRAM (DRAM síncrona), 1Rx8, com base em oito componentes FBGA 2G x 8bits. O SPD é programado para latência padrão JEDEC DDR4-2666 tempo de 19-19-19 a 1.2V. Cada DIMM de 288 pinos utiliza contatos de ouro.

Recursos:

Fonte de alimentação: VDD = 1,2 V típica
VDDQ = 1,2 V típico
VPP = 2,5 V típico
VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para
dados, strobe e sinais de máscara
Auto-atualização de baixa potência (LPASR)
Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
Geração e calibração de VREFDQ na matriz
Single-rank
EEPROM de detecção de presença serial I2 on-board (SPD)
16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada
Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8
através do conjunto de registro de modo (MRS)
Selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF)
Topologia fly-by
Comando de controle terminado e barramento de endereço
PCB: Altura 1,23 "(30,00 mm)
Compatível com RoHS e livre de halogênio

Especificações:

CL (IDD): 19 ciclos
Tempo de ciclo de linha (tRCmin): 45,75ns (min.)
Tempo de comando de refresh (tRFCmin): 350ns (min.)
Tempo de linha ativa (tRASmin): 32ns (min.)
Classificação UL: 94 V-0
Temperatura de operação: 0ºC a +85ºC
Temperatura de armazenamento: -55ºC a +100ºC.
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