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Descrição
A partir do momento que a memória DDR3 atingiu seus limites no mundo da tecnologia, em constante mudança, onde se exige maior desempenho e maior largura de banda, surgiu uma nova geração de memórias SDRAM DDR no horizonte: a DDR4.
Previsto no final de 2014, o DDR4 promete oferecer três coisas: maior desempenho, maiores capacidades de DIMM e menor consumo de energia.
Alcançando mais de 2Gbps por pin e consumindo menos energia do que DDR3L (que é de baixa potência), a DDR4 oferece até 50% de aumento de desempenho e capacidade de largura de banda, diminuindo a tensão e a eficiência de energia de todo o ambiente de computação. Isso representa uma melhoria significativa em relação às tecnologias de memória anteriores e uma economia de energia de até 40%.
Além do desempenho otimizado e da computação mais ecológica e de baixo custo, o DDR4 também oferece verificações de redundância cíclica (CRC) para confiabilidade de dados aprimorada, detecção de paridade no chip para verificação de integridade de 'comando e endereço' transferidos por um link, integridade de sinal aprimorada e outros recursos robustos do RAS.
Especificações Técnicas
Densidades de chip: 4 Gb - 16 Gb
Taxas de dados: 1600 Mb/s - 3200 Mb/s
Voltagem: 1,2 V
Padrão de baixa voltagem: previsto em 1,1 V
Bancos internos: 16
Grupos de bancos (BG): 4
Entradas VREF: 1 - CMD/ADDR
tCK - DLL habilitado: 667 MHz - 1,6 GHz
tCK - DLL desabilitado: indefinido para 125 MHz
Latência de leitura: AL + CL
Latência de gravação: AL + CWL
Driver DQ (ALT): 48
Barramento DQ: POD12
Valores RTT (em O): 240, 120, 80, 60, 48, 40, 34
RTT não permitido: desabilita durante rajadas de leitura
Modos ODT: nominal, dinâmico, Park
Controle ODT: Sinalização ODT NÃO necessária
Registro multipropósito: Quatro registradores - 3 definidos, 1 RFU
Tipos DIMM: RDIMM, LRDIMM, UDIMM/ SODIMM
Pinos DIMM: 288 (R, LR, U); 260 (SODIMM)
RAS: CRC, Paridade, Endereçamento, GDM
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