Maiores detalhes
Tpo de dispositivo Unidade de estado sólido - interna
Célula de vários níveis 3D NAND Flash Memory Type (MLC)
Interface SATA 6Gb / s
Tamanho do buffer 512 MB
Algoritmo de Criptografia 256-bit AES
MTBF 1500000 seg
Criptografia de Hardware Sim
Detalhes da criptografia TCG Opal Encryption 2.0
INTERFACE FORNECIDA
Interface de armazenamento Serial ATA-600
EXPANSÃO E CONECTIVIDADE
Interfaces 1 x SATA 6 Gb / s - Cartão M.2
DESEMPENHO
Taxa de Dados Internos 550 MBps (leitura) / 520 MBps (gravação)
Máximo de 4 KB de gravação aleatória 88000 IOPS
Taxa de transferência da unidade de 600 MBps (externa)
SSd
M.2 2280
Possui Tecnologia 3D V-NAND de 3 bits, Algoritmo de Coleta de Lixo Automático, Controlador Samsung MJX, Suporte TRIM, Tecnologia TurboWrite, eDrive, resistente a choque
Fator de Forma (Curto) M.2
Fator de forma (métrico) M.2 2280
Form Factor (Short) (métrica) M.2
Interface de armazenamento Serial ATA-600
Interface Serial ATA-600
Célula de vários níveis 3D NAND Flash Memory Type (MLC)
Taxa de Transferência de Dados 600 MBps
Taxa de Dados Internos 550 MBps
Taxa de Dados Internos (Write) 520 MBps
Máximo de 4KB Random Write 88000
Máximo de 4KB Random Read 97000 IOPS
Tamanho do buffer 512 MB
PARÂMETROS
Temperatura operacional mínima de 32 ° F
Temperatura de Operação Máxima 158 ° F
DISCO RÍGIDO DE ARMAZENAMENTO
Padrões em conformidade AES de 256 bits, IEEE 1667, S.M.A.R.T.
Período de Contrato Completo 5 anos / 300 TBW
TOLERÂNCIA AO CHOQUE E À VIBRAÇÃO
Aceleração de choque (operacional) 1500 g
Duração do Choque (Operacional) 0,5 ms meio-seno
CONFIABILIDADE
MTBF 1.500.000 horas
GERAL
FabricanteSamsung
